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浅析多晶硅杂质引入因素及解决方案_百度文库
本文首先阐述了改良西门子法生产多晶硅流程中杂质的主要来源，其次概述了近些年国内外关于痕量硼、磷等杂质高效去除的技术方案；最后提出了电子级多晶硅国产化进程中应侧重的提纯技 2019年10月23日 多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学反应，生产单质硅，并沉积在硅芯表面，随着生长持续，硅芯 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法与流程
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多晶硅碳头料的硅碳分离方法 - 百度学术
2009年10月19日 多晶硅碳头料的硅碳分离方法. 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离,清洗和表面处理步骤,硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100: (50 2010年4月7日 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50-200)比例将碳头料装入网袋后 多晶硅碳头料的硅碳分离方法_百度文库
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一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法 - 道客巴巴
2023年6月21日 本发明公开了一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括如下步骤：第一步：在喷射清洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料；第二步：调整喷射清洗设备喷口的喷射角度， 2009年8月5日 为了解决上述问题，本发明采用的方案为 一种去除原生多晶硅棒端面石墨夹头的方法， 先将多晶硅棒两端带有石墨夹头的原料敲下来，再将原料破碎成小块，然后将原生多 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法 - X技术网
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如何去除石墨表面的多晶硅
铸造多晶硅中的杂质去除主要是利用合金元素在定向凝固过程中的分凝效应,即不同杂质元素在固相和液相中具有不同的溶解度,使得 另外,寻找适合铸造多晶硅表面 织构2021年12月30日 本发明公开了一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括如下步骤:第一步:在喷射清洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料;第二步:调整喷射清洗设备喷口的喷射角度,当涂层厚 一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法 - 百度学术
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Hkmg 后道工序的虚拟多晶硅去除影响因素及改进 - X-MOL ...
2020年3月31日 对于 20/16nm HK-last 和 MG-last 工艺，虚拟多晶硅通过 Wet 工艺去除。. 本文研究了影响虚拟多晶硅去除过程的因素，并提出了一些模型来解释影响因素。. 注入工艺是影 2020年6月30日 在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。可选地，在所述的lpcvd石英舟的清理方法中，在将待清理lpcvd石英舟置入高温 一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 - X
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金属表面石墨的去除方法_百度文库
金属表面石墨的去除方法 在金属表面发现石墨时，需要采取适当的方法进行去除，以确保金属表面的清洁和准确性。以下是一些常见的金属表面石墨去除方法： 1．机械去除： 使用刮削、刷洗、砂纸、砂轮等机械方法可以有效地去除金属表面的石墨。2010年1月27日 1.一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法，其特征在于，包括先将该多晶硅放入SC1槽进行清洗，而后将该多晶硅放入装有HF水溶液的DHF槽清洗，最后再将该多晶硅放入SC1 槽进行清洗，从而使清洗后的多晶硅呈表面亲水性 ...一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法_百度文库
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一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置_百度文库
2013年5月1日 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在2021年3月1日 然而，在转移过程中去除通常用作支撑介质的 PMMA 很麻烦，因为 PMMA 分子会干扰石墨烯的基本性质，而常规的丙酮处理无法从石墨烯表面完全去除 PMMA。热退火处理最早用于清洁PMMA残留物，而等离子体和离子束处理一般具有更高的清洁效率。与其他消除石墨烯上PMMA残留的方法——超洁净石墨烯 - X-MOL ...
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热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？ - 非金属 - 小木虫 ...
2011年10月19日 热压烧结样品表面的那层石墨纸如何才能处理掉？哪位有经验的童鞋知道啊，谢了！磨吧，化学方法去掉石墨还是有难度的，不知道你的样品成分，所以不好选。2022年8月31日 改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、最容易扩建的工艺； 目前，全球80%以上的多晶硅企业采用改良西门子法（闭环式三氯氢硅还原法）生产多晶硅，该法生产电子级多晶硅具有一定的优势，其沉积速率较快，安全性能较好，但是相比硅烷法（SiH4分解法多晶硅生产工艺 - 知乎
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如何去除石墨表面的多晶硅
适用于作为 石墨保护涂层的材料包括碳化硅、高温热解石墨、多晶硅、钽 近期的【2 8J介绍了一种化学方法去除石墨。 但处理的是一种表面含有 少量石墨 求助消除石墨坩埚内表面粘金属的办法 大家好。2015年6月2日 C，N，O等轻质元素的存在对太阳能级晶体硅材料的性能有着广泛影响，而硅材料作为太阳能电池的主要原材料，其纯度对电池的电学性能有着决定性作用。本文总结了晶体硅中C，N，O元素的存在形态、分布规律、形成机制及工艺控制等的研究进展，并对未来硅中轻质元素的研究进行了展望，使用各种 ...太阳能级硅中轻质元素 (C,N,O)研究进展
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如何清洗石墨材料？ - 知乎
2024年3月27日 机械清洗主要是用刷子、压缩空气或者超声波清洗。这种方法比较适合去除石墨表面的 松散物质，比如灰尘或小颗粒杂质。但要注意，用刷子清洗时力度不要太大，以免损伤石墨表面。2. 溶剂清洗 对于沾染有油脂的石墨材料，可以使用溶剂清洗 ...2022年6月14日 实验结论：多晶硅表面铜含量的异常升高，来源于CVD内的电极，电极本体为纯紫铜材质，表面的镀银层经过打磨、受热后逐渐脱落，电极头的金属铜熔点为1080度，当石墨座与电极的接触由面接触发展到线接触，电流引起电极头变形后完成是点接触时，电极头多晶硅异常料的分析及解决办法
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[失效分析与可靠性] 008 二氧化硅、氮化硅与纯硅如
2020年6月7日 半导体器件的钝化层去除方法分为干法和湿法，干法是利用等离子体刻蚀技术从器件表面有选择地去除介质层，某种特定的等离子体可以去除特定的表层。本文只介绍三种物质的湿法去除方法：二氧化硅、氮化硅，纯硅。 二多晶硅中氧化夹层的消除-2.5进料炉温控制过低。 还原炉启动后，硅棒电流过小，硅棒表面温度过低，硅芯表面未达到熔融状态，进料后形成温度夹层。2.6进料时电压波动大。电压在进料时出现明显的升高，说明硅棒表面温度出现了变化，下降过快，反应 ...多晶硅中氧化夹层的消除 - 百度文库
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多晶硅中碳杂质的来源及控制方法研究 - qikan
2018年8月7日 但是，由于碳元素的激活时间和速率，都远远地晚于甚至不及在石墨表面上被大量结晶硅所包裹的时间和速率，同时石墨表面也开始逐渐被硅所掩盖，导致在石墨表面上从开始时能够产生少量大气甲烷，到后来却又慢慢无法产生大量甲烷的。 1.2 CH4与碳的沉积2024年10月16日 除了抑制石墨烯薄膜生长过程中副产物的生成外，刘忠范教授研究组和彭海琳教授研究组还提出了表面清洁工艺，对已经形成的表面污染物进行选择性去除，制备出了大面积超洁净石墨烯薄膜。弱氧化剂，如二氧化碳，能够在CVD系统内原位刻蚀去除反应活性更高的无定形碳污染物，其在合适反应温度 ...超洁净石墨烯薄膜 - 物理化学学报
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一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 - X技术网
2023年4月18日 一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法技术领域.本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。背景技术.topcon单晶硅太阳能电池制备过程中需要在电池背面制作一层掺杂多晶硅作为钝化层，目前制备多晶硅钝化层的主流方式有lpcvd、pecvd和pvd法。其中，pecvd法 ...2020年7月8日 浅沟槽隔离的台阶高度表征了多晶硅生长前的晶片表面形貌 浅沟槽隔离区的多晶硅栅的侧壁角度 86° 有源区中央的多晶硅栅侧壁角度 89° 有源区密度差异导致STI后CMP中的负载效应→多晶硅膜厚度差异→最终栅极侧壁角度差异→特征尺寸差异 4.多晶硅栅极的线宽半导体学习日记（2）-多晶硅栅极蚀刻 - 知乎
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SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 - csejournal
2019年2月10日 应用于碳化硅陶瓷基复合材料(SiC f /SiC-CMC)表面的抗水氧腐蚀环境障涂层(EBC)，在高速燃气冲刷等极端环境下长期服役后出现烧蚀、局部开裂或剥落等问题。为了循环再利用价格昂贵的CMC材料，亟待发展EBC修复技术，而去除原有EBC ...冶金法关键技术对除硼、除磷、除碳、除氧工艺的研究，金属杂质的去除主要依靠传统的定向凝固方法达到目的，在上述提及的工艺除杂方面，多晶硅的前期重点工艺为除硼工艺、坩埚寿命及产品出品率作为冶金法制备太阳能级多晶硅的重点研究内容，除硼设备主要以中频炉为主，由于硅属于 硅,多晶硅,Si如何提纯？怎么得到高纯度的硅,多晶硅,Si？提纯 ...
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清洗石墨舟的方法与流程 - X技术网
2021年12月15日 52.通过该步骤，在舟片表面的多晶硅膜层之间的二氧化硅膜层被部分去除。后续即可实施步骤二。但是由于步骤二使用的是碱性物质，因此，在用酸洗液清洗之后，可以选择将舟片捞出用去离子水(其温度可以为室温)进行清洗，以去除石墨舟表面残留的酸洗液。2018年7月7日 而利用酸液浸泡去除石墨的方法(cn200810163783.x、cn200810017582.9、cn201010561302.8等)，对环境污染严重，且分离出的多晶硅同样没有去除碳化硅层。本发明避免了这些问题，提供了一种经济实用的有效分离完整碳头料上的石墨与多晶硅并实现多晶硅的一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置的制作方法
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一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法与流程 - X技术网
2022年4月2日 1.本发明涉及表面清理技术领域，具体为一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法。背景技术： 2.碳化硅涂层能够通过如含浸法或化学气相沉积法(cvd)等沉积方法形成。 通过含浸法形成的碳化硅层的耐久性通常较低；化学气相沉积法(cvd)从长远的角度看来还有可能会导致如装置的腐蚀以及空气的污染 ...2009年10月19日 摘要： 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离,清洗和表面处理步骤,硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100:(50-200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中,在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡0.5-8小时;表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入 ...多晶硅碳头料的硅碳分离方法 - 百度学术
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多晶硅片表面缺陷如何拯救？ - 国际太阳能光伏网
2017年12月12日 常规多晶硅铸锭炉（如图1所示）的核心结构是由石英坩埚、石墨挡板和坩埚平台组成。在生产过程中石墨加热器以热辐射的形式对石墨挡板进行加热，石墨挡板通过固体热传导的形式给坩埚加热，再由坩埚通过固体热传导的形式给硅料加热，从而使硅料融化。2023年6月29日 本技术涉及太阳电池制备，具体而言，涉及一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统。背景技术： 1、现在行业内poly石墨舟使用前需要先沉积一层氮化硅膜作为饱和过程，饱和完成的石墨舟正常生产topcon电池片时需要沉积poly硅膜及sio膜，随着石墨舟使用次数的增加导电性能变差，需要循环清洗poly ...一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统与流程 - X技术网
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聊聊硅片的自然氧化层 - 知乎
2023年7月4日 值得注意的是，这个反应通常在较高的温度下进行的较快，在常温下硅与氧的反应速度较慢，因此自然氧化层一般在十几个埃左右。这个反应实际上是在硅片的表面进行的，因此，生成的氧化硅（SiO2）会覆盖在硅片的表面，形成一层保护膜，这就是所谓的自然氧化层。2020年3月31日 注入工艺是影响虚拟多晶硅去除能力的主要因素之一，因为在虚拟多晶硅中注入离子和掺杂量的差异会导致湿法工艺去除多晶硅的速率不同。我们还研究了聚表面单次清洁、多次清洁和热处理。 基于该模型，我们计划在空白晶圆和 20nm 结构晶圆上 ...Hkmg 后道工序的虚拟多晶硅去除影响因素及改进 - X-MOL ...
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如何借助等离子清洗机提高石墨表面的清洁度和亲水性?_材料 ...
2023年10月25日 但在实际应用中，需要注意清洗参数的选择和控制，以保证清洗效果，不会对石墨材料造成不必要的损坏。低温等离子清洗机在石墨领域具有以下优点: 1.高效率清洗：等离子体清洗机利用等离子体产生的高能离子束，对石墨表面进行清洗，能有效地去除石墨表面的2023年4月26日 本申请涉及碳化硅除杂，更具体地说，它涉及一种去除碳化硅上石墨的方法。背景技术： 1、碳化硅是一种人造材料，由碳与硅元素以共价键结合的非金属碳化物，碳化硅中两种元素同属元素周期表中的iva族，具有最大的电子亲和能，在其晶体结构中，每个硅原子被相邻的四个碳原子包围，它们都是 ...一种去除碳化硅上石墨的方法与流程 - X技术网
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多晶硅中杂质含量_分布及其检测方法的探讨_百度文库
元素含量的常见手段主要可概括为两大类 。 1. 1 检测多晶硅表面元素分布的方法 多晶硅表面杂质元素的含量及分布直接关系到 其性能和特点， 常用的分析方法是 X 荧光光谱法 （ XRF） [1-2]， 此法可以定性、 定量分析包括 Fe 和 Al 等 多种杂质元素。
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