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一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 - X技术网
2023年4月18日 技术实现思路. 1、针对现有技术中pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法存在的影响多晶硅膜层质量，会产生含氮废液，以及清洗效果有待进一步提高的问题，本发明提供一 2023年6月29日 3、酸碱结合的清洗方式主要是先利用hf酸与氮化硅反应的过程，利用石墨的多孔透水特性，可以将石墨舟表面的氮化硅清洗掉，从而就将poly硅层逐渐剥离掉漂浮在液面之 一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统与流程 - X技术网
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多晶硅的去除方法_百度文库
以下是几种常见的多晶硅去除方法： 1.酸洗：多晶硅可以通过酸洗的方式去除表面的杂质和缺陷。 常用的酸洗溶液有浓硝酸、浓氢氟酸和浓盐酸等。 这种方法可以有效地去除多晶硅表面的氧 2016年6月26日 酸洗质量要求：设备、管道内表面外观检查， 达到清洁、无锈蚀点，不遗留鳞皮、渣子及其它粘 附杂质和缺陷。. 被清洗的金属表面无点蚀或其他 局部腐蚀，均匀腐蚀速 浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法 - 豆丁网
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含石墨硅料的清洗方法 - X技术网
2010年1月13日 1、含石墨硅料的清洗方法，其特征在于其步骤为 (1)将含石墨的硅料多晶粉碎成粒度小于1厘米的颗粒物； (2)将粉碎后的颗粒物均匀的放入碱槽中； (3)向碱槽中加入适量的 2017年8月10日 氢氟酸法的主要流程为石墨和氢氟酸混合，氢氟酸和杂质反应一段时间产生可溶性物质或挥发物，经洗涤去除杂质，脱水烘干后得到提纯石墨。 氢氟酸法提纯石墨具有工艺流程简单、产品品位高、成本相对较低、对石墨产品 石墨材料在光伏行业中的应用
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一种多晶硅清洗装置和方法与流程
2020年10月28日 专利cn101531366a公开了一种多晶硅硅料的清洗方法，将多晶硅硅料置于混合酸液中进行避光浸泡1～10，混合酸液温度为30℃～35℃，捞取后用纯水、超声冲洗，再经压缩空气鼓泡后烘干；其采用的混合酸液为腐蚀 浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法. 冲洗时，调节喷淋液的流量，以便冲洗出系统内的污物，并控制进出水平衡。. 当进出水的浊度差＜5 NTU时，冲洗结束。. 水压检漏试验时，检查临时系 浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法_百度文库
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高效除三氯氢硅中痕量硼、磷工艺研究进展 - TJU
2018年2月7日 改良西门子法是当今生产多晶硅的主流工艺，该工艺中，三氯氢硅是生产多晶硅的重要原料，因此，多晶硅产品的纯度主要取决于三氯氢硅的纯度。 目前，国内都是通过多级 2010年6月9日 本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法,主要是将碳头料破碎后分为三类,第一类物料为不含碳的硅块,其无需清洗处理;第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块,第三 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法 - 百度学术
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史上最全的碳-石墨讲解!_的材料
2018年9月11日 在太阳能、半导体行业中，大量使用等静压石墨，制作单晶直拉炉热场石墨部件，多晶硅熔铸炉用加热器，化合物半导体制造用加热器、坩埚等部件。近年来，太阳能光伏发电发展迅猛，光伏产业中的单晶硅和多晶硅生产对 2022年5月7日 在这个教程示例中，构建了三维和二维模型并比较了二者的结果。 三维模型设置 使用半导体 接口可以直接设置三维模型，在接触窗口处的 金属接触 边界条件启用接触电阻 选项。 接触窗口的 接触电阻 选项被激活。 对于左侧 使用基准模型提取比接触电阻率 COMSOL 博客
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行业观察 揭开半导体制造中“单晶炉设备”的神秘面
2023年12月15日 单晶炉的构成 单晶硅炉，也称全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，由主机、加热电源和计算机控制系统三大 2023年4月29日 本发明属于多晶硅生产，具体涉及一种多晶硅歧化反应塔内的催化剂的处理方法及处理系统。背景技术： 1、在多晶硅领域内，目前，多晶硅的主要生产方法为改良西门子法，还原产出多晶硅的同时，也带来副产物二氯二氢硅，通过歧化反应塔二氯二氢硅与四氯化硅反应生成三氯化硅，达到一个全 ...多晶硅歧化反应塔内的催化剂的处理方法及处理系统与 ... - X ...
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半导体工艺设备之单晶炉 - 电子工程专辑 EE Times China
2020年8月17日 半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉。2019年9月11日 石墨电极是采用石油焦、针状焦为骨料，煤沥青为粘结剂，经过混捏、成型、焙烧、浸渍、石墨化、机械加工等一 系列工艺过程生产出来的一种耐高温石墨质导电材料。 生产石墨电极的原料有石油焦、针状焦和煤沥青石油石墨电极的生产工艺流程和质量指标的及消耗原理_原料
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半导体工艺设备之单晶炉 - 电子工程专辑 EE Times China
2023年5月16日 所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验，并且经过0.6MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。 一、主炉体构造 1、基座与炉底板 炉底板设计成平板式，具有双层结构，通水冷却。四只电极穿过底板，在坩埚提升机构的波纹管连接处有一个水冷却法兰区。2、主、下2021年9月28日 1)结构应尽量简单，减少约束，避免产生多余的附加应力，避免产生过大的温度变化，选材一致。2)应尽量避免结构形状的突变，减小局部应力，较高的局部应力是产生裂纹的关键因素。3)接管与壳体连接处角焊缝要凹型圆滑过渡，接管端部内壁处做圆角处理。低温压力容器设计要点及注意事项-汇聚亿万工业人 - Powered ...
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Solidworks相交斜管连接处如何处理实用技巧实例讲解 -
2021年4月7日 Solidworks相交斜管连接处如何处理实用技巧实例讲解, 视频播放量 6415、弹幕量 0、点赞数 84、投硬币枚数 31、收藏人数 197、转发人数 16, 视频作者 SolidWorks啊文设计室, 作者简介 SolidWorks产品 2020年8月25日 半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。 这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉。 单晶炉 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境 ...浅谈半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉 - 电子 ...
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solidworks已经做到曲面相切了，曲面之间连接处的
2016年7月23日 solidworks已经做到曲面相切了，曲面之间连接处 的线能去掉或者隐藏吗？怎么操作？ 我来答 首页 用户 认证用户 认证团队 ... 2013-04-28 solidworks中如何去掉曲面和切平面过渡处的交线 33 2019-09-25 Solidworks 石墨电极 的折断部分原因在操作和控制上，但电极本身的质量问题也是电极折断的决定因素。 那如何避免电极接头折断呢，下面跟随 上海石墨制品加工公司 上海鸿钧碳素一起了解下吧！ 一、电极折断原因： 1. 接头折断的原因接头在电极炼钢时起着连接的关键作用，接头质量的好坏直接关系 石墨电极折断如何解决？ - 上海鸿钧碳素材料有限公司
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收藏！史上最全的碳材料讲解！_木炭
2019年9月6日 在太阳能、半导体行业中，大量使用等静压石墨，制作单晶直拉炉热场石墨部件，多晶硅熔铸炉用加热器，化合物半导体制造用加热器、坩埚等部件。近年来，太阳能光伏发电发展迅猛，光伏产业中的单晶硅和多晶硅生产对石 2023年5月16日 半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。 这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉。 单晶炉 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境 ...半导体工艺设备之单晶炉工艺流程 - 制造/封装 - 电子发烧友网
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Agilent Technologies 6890/597X GCMSD 日常维护，故障
2004年9月26日 石墨垫的作用 色谱柱与色谱系统的连接处靠密封垫密封．理想的密封垫 提供无泄漏的密封效果，适合各种外径的色谱柱，不用过 分拧紧，与色谱柱或接头不粘连，且耐温度变化。为什么要更换石墨垫 石墨垫损坏会造成：水，空气渗入系统，破坏色谱柱，2022年7月14日 装料：将多晶硅和掺杂剂放入单晶炉内的石英坩埚内，掺杂剂的种类依所需 生长的电阻率而定，主要有生长 P 型的硼和生长 N 型的磷、砷、锑等。 熔化：装料结束后，加热至硅熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅和掺杂剂熔化，挥发一定时间后 ...硅片与光刻胶技术 - 知乎
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单晶炉机械结构简介 - 豆丁网
2015年8月21日 轴端部与石墨轴通过石墨螺栓连接，其特殊设计可在加热过程中防止石墨轴松开。3.3坩埚提升和旋转电机慢速提升电机和旋转电机采用SANYO封闭式直流测速电动机，检查每个电机是否过大的噪声和震动。如果存在音调较高的变调或卡搭声，首先检查四个电机2023年11月15日 如图所示，在SW6换热器的管板计算输入页面中，有提示换热管与管板的连接方式其中，我对“不开槽胀接”和“强度焊加密封焊”这俩连接方式是什么样的有疑问。一、 ...SW6中换热管与管板连接形式，【胀接】和【强度胀】有什么不同？SW6中换热管与管板连接形式，【胀接】和【强度胀】有 ...
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高效鄂式破碎机 - 百度百科
高效颚式破碎机（英文翻译：high-efficient Jaw crusher ），俗称鄂破，由动鄂和静颚两块颚板组成破碎腔，模拟动物的两颚运动而完成物料破碎作业的破碎机。广泛运用于矿山、冶炼、建材、公路、铁路、水利和化工等行业中各种矿石与大块物料的中等粒度破碎。被破碎物料的最高抗压强度 2021年8月8日 所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验，并且经过0.6MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。 一、主炉体构造 1、基座与炉底板 炉底板设计成平板式，具有双层结构，通水冷却。四只电极穿过底板，在坩埚提升机构的波纹管连接处有一个水冷却法兰区。2、主、下半导体工艺设备之单晶炉 - 电子工程专辑 EE Times China
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CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺 – 芯片
2011年8月12日 接触孔形成工艺的目的是在所有硅的有源区形成金属接触。这层金属接触可以使硅和随后沉积的导电材料更加紧密地结合起来（如下图）。硅片表面的沾污和氧化物被清洗掉后，会利用物理气相沉积(PVD)在硅片表面沉积一 2020年10月20日 针对多晶硅项目洁净厂房施工技术总结,洁净技术的现状及发展趋势1.1. 洁净室净化原理1.1.1. 洁净厂房内不允许有存积灰尘的地方。1.1.2. 净化程序 气流→初效净化→空调→中效净化→风机送风→通风管道...,国际太阳能光伏网针对多晶硅项目洁净厂房施工技术总结 - 国际太阳能光伏网
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接触电阻是什么，接触电阻过大的原因是什么 - 今日头条 ...
2021年1月28日 检测和排除触头接触电阻故障，按以下方法处理： 检查接触电阻大小，可用多用表的电压挡进行测量，即在通电的情况下将多用表的表笔接触触头的两侧，量程由大逐渐变小。如果测得电压降大，则表明接触电阻大；若电压降为零，则表明触头接触良好。2016年6月26日 水压检漏试验时，检查临时系统中焊缝、法兰、阀门、短管连接处，有泄漏情况应及时处理，以保证清洗过程的正常进行。（2）脱脂脱脂的目的是利用脱脂液与系统中各类机油、石墨、防锈油等有机物反应，以除去系统内的油污。浅谈多晶硅项目设备管道的清洗方法 - 豆丁网
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SW如何删除掉两个实体中的相交部分 - 百度经验
2023年3月31日 最后，选择“组合”命令，选择主体和需要删除 的部分即可，最后的效果如图所示 [图] [图] [图] 注意事项 Tips:使用旋转命令创建第二个旋转实体时要取消勾选“合并结果”复选框。 组合命令 ...2021年1月20日 删除网络连接中多余的(网络，网络2，网络3 等)Windows7及以上系统中默认的连接叫做网络，但如果连接方式或换了路由等重建连接后就变成网络2、网络3等等，虽然没什么影响，但对看着不爽按Windows+R，输入regedit，打开注册表编辑器，定位到HKEY删除Windows网络连接中的多余 (网络，网络2，网络3 等 ...
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基于MEMS加速度传感器的原理及分析——赛斯维传感器网
2014年7月24日 基于MEMS加速度传感器的原理及分析 来源：赛斯维传感器网 发表于 2014/7/24 摘要：主要介绍了五种目前常见的基于MEMS技术的加速度传感器，从物理结构的角度对这 几种传感器的测量原理进行了分析，不但着重介绍了已经较为成熟且形成产业化的硅微电容式、压 阻式、热电耦式加速度传感器，而且对 ...2023年10月7日 污水处理设备调试要注意哪些细节？ 污水处理设备调试是确保其正常运行和发挥最佳效能的关键环节。 在调试过程中，需要注意以下细节： 一、调试前的准备工作 1、设备检查： 对设备进行全面的检查，包括各部件的连接是否牢固、管道是否通畅、电气线路是否正常等。反渗透设备运行中出现故障怎么解决-纯水,超纯水,中水回用 ...
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【图文详解】电线接头常用连接方法及绝缘处理
2017年9月27日 单股铜导线与多股铜导线的连接方法如图9所示，先将多股导线的芯线绞合拧紧成单股状，再将其紧密缠绕在单股导线的芯线上5～8 ... 三、导线连接处的绝缘处理 为了进行连接，导线连接处的绝缘层已被去除。导线连接完成后，必须对所有绝缘层 ...
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