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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
2021年6月11日 国内碳化硅产业起步较晚， 但已形成一定基础， 目前正高速发展， 如 SiC 衬底制造商天科合达等， 外延制造商东莞天域、 瀚天天成等， 器件制造商南京国盛、 泰科天润等， 华润华晶微电子和华虹宏力也在积极布局 SiC 2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
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碳化硅技术进展，全球8英寸晶圆生产线布局全解析
2024年9月12日 2024年6月18日，士兰微电子在厦门市海沧区正式启动了国内首条8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目，项目名称为：“士兰集宏”，总投资高达120亿人民币。1 天前 克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用. 随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。. 作者：Catherine 克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用 - SEMI大 ...
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碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 - CSEE
2020年10月15日 KEY WORDS: silicon carbide (SiC); power device; packaging technology. 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关 2023年9月20日 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电 纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - hanspub
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纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - 汉斯出版社
5 天之前 本领域科学工作者将需要做以下几个方面：(1) 要在现有的技术上加强研究，完善工艺过程，实现对材料结构和性能的设计与精确控制；(2) 利用好现有技术的优势和特点，加强技术 碳化硅的制备及应用最新研究进展. 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常用的制备 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
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中电科第四十八研究所巩小亮：碳化硅芯片制造装备技术发展 ...
2023年5月5日 开幕大会上，中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮做《碳化硅芯片制造装备技术发展趋势及国产化进展》的主题报告，详细分享装备技术进展及 2023年2月15日 摘要 碳化硅 (SiC) 是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料, 近 20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升, 外延膜生长速率和品质逐步提高, 碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何 2023年9月20日 在国内外相关文献的基础上，重点介绍了纳米SiC的常用制备方法及相关领域的潜在应用，并对纳米SiC 的研究前景提出建议。本文对纳米SiC的进一步深入研究具有积极的意义。 关键词 纳米碳化硅，制备方法，潜在应用，研究进展 Research Prospects of纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - hanspub
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中最大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉 ...2023年10月20日 碳化硅(SiC)未来技术发展趋势 未来SiC晶圆制造技术的发展趋势将朝着高质量、低成本、可持续性和多功能化的方向发展，以满足不断增长的市场需求。这些趋势将有助于促进SiC晶圆的广泛应用，并推动电子设备在高温、高频、高功率和高效能性方面的发展。盘点国内碳化硅产业进展，与海外企业究竟差距多少？ - seccw
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SiC板块订单爆发！国内外的碳化硅项目布局与建设力度加大 ...
2022年8月31日 国内外的碳化硅项目布局与建设力度加大！ 盘点近期（8月）碳化硅板块行业动态进展 原创 DT半导体材料 ... 、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式。2023年7月14日 从技术进展来看，国产碳化硅厂商基本以6英寸碳化硅晶圆为主，而Wolfspeed、ROHM、英飞凌、ST等国际碳化硅大厂已经纷纷迈入8英寸，并将量产节点提前到今年。前不久，英飞凌与国内厂商天岳先进和天科合达签约，也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus - 腾讯网
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国内外碳化硅的合成研究进展 - 豆丁网
2021年9月2日 国内外碳化硅合成研究进展 学院：材料与化工学院 专业：化学工程与工艺 学号：050 XX：宋新乐 时间：2021年10月5日....word.zl. 国内外碳化硅的合成研究进展 化学工程与工艺 宋新乐050 一、摘要 近年来，随着各项科技的开展，尤其是航海，航空，导弹等高2022年3月18日 近几年，碳化硅作为一种无机材料，其热度可与“半导体”、“芯片”、“集成电路”等相提并论，它除了是制造芯片的战略性半导体材料外，因其独有的特性和优势受到其它众多行业的青睐，可谓是一种明星材料。最具发展前景的陶瓷材料氮化铝：研究历史、机理、制备工艺 ...
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半导体碳化硅（SiC）功率器件技术进展及趋势分析的详解；
2024年2月2日 目前，国内外上已有大批的高压 SiC PiN 研制成功。不过,由于大电流能力需要大面积的器件,但是 SiC 厚外延生长工艺会引入额外的缺陷密度,而这会导致SiC PiN二极管的良率较低,从而阻碍了大面积芯片的商业化。此外, ...2024年5月10日 2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎，各大厂商频频有利好消息传出。在投资扩产大旗下，2024年以来已有超30个项目披露了新进展，或签约、或开工、或封顶、或 ...超1300亿！2024年数十个碳化硅项目进展一览（附长图）
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技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工2024年9月11日 因此国内外厂商均在加速研发、扩产，进军8 英寸碳化硅。据相关新闻报道，近年来，国际功率半导体巨头已经频频联手国产碳化硅衬底、材料等环节企业，加速发展8英寸碳化硅。这一趋势背后既反映了国际龙头对中国碳化硅衬底厂商技术进步的 ...碳化硅技术进展，全球8英寸晶圆生产线布局全解析
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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该 文对近些年来不同SiC 器件的发展进行分类梳理，介绍二极2023年7月8日 内容来源于：化合物半导体市场：共14家！8英寸碳化硅衬底企业进度一览；证券之星：国产碳化硅“破局”8英寸领域；半导体在线：国产碳化硅进击8英寸工艺节点 最佳“掘金”窗口期步入倒计时；全球半导体观察：化合物半导体下一场黄金赛道鸣枪，国内8英寸碳化硅研发再突破趋势丨国产碳化硅进击8英寸，竞争将更加激烈且复杂 - 腾讯网
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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 电子工程专辑 EE ...
2022年10月9日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域.然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难.因此,大量研究工作通过烧结技术 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 - jtxb
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连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基 复合材料研究进展
2016年12月12日 等国研究人员的广泛关注。本文从组成、制备工艺、加工工艺和考核应用等方面，综述了SiC/SiC 复合材料的国内外研究进展，并指出了目前面临的问题和机遇。 关键词：SiC/SiC 复合材料；耐高温；抗氧化；热端构件2013年12月23日 国内外展纱技术及设备研究进展李蓓蓓1，朱家强2，李炜1，3(1.东华大学纺织学院，上海201620;2.上海晋飞复合材料科技有限公司，上海201100;3.产业用纺织品教育部工程研究中心，上海201620)摘要:与传统碳纤维织物相比，展纱织物可以将纤维在织造前展开国内外展纱技术及设备研究进展 - 豆丁网
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碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代
2022年8月17日 第三代半导体经典的应用是碳化硅。碳化硅具有众多技术优势，宽禁带特性有助 于提高碳化硅器件的稳定性，使其具备良好的耐高温性、耐高压性和抗辐射性， 显著提升器件功率密度，从而利于系统散热与终端小型轻便化；高击穿电场强度 特性有助于提高碳化硅器件的功率范围，降低通电电阻，使 ...23 小时之前 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注，其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。本文在国内外相关文献的基础上，重点介绍了纳米SiC的常用制备方法及相关领域的潜在应用，并对 ...纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - 汉斯出版社
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半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告 - 电
2024年3月29日 一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技 2022年8月11日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 韩跃斌1,2,蒲 勇1,2,施建新1,2 (1.材料科学姑苏实验室,苏州 215000;2.芯三代半导体科技(苏州)有限公司,苏州 215021) 摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - Researching
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20家企业将建8吋SiC线！4家国内企业提前布局 - 电子工程 ...
2024年5月9日 插播：6月14日，汇川、锦浪、英飞凌、芯联动力、扬杰科技、蓉矽、普兴、合盛、晶瑞、希科、丰田商社、大族、泰克、志橙、凯威及泽万丰等邀您参加上海SiC大会，详情请扫下方二维码。近年来，8英寸碳化硅晶圆线布局明显加快。据“行家说三代半”调研发现，截至2024年4月，全球已有 20家企业 ...2023年12月6日 2023年全球及中国碳化硅（SiC ）行业现状及发展趋势分析，将会面临更加激烈的市场竞争「图」 刘潘 ... 这些企业通过引进国外先进技术或自主创新，不断提升碳化硅产品的质量和生产效率，逐渐在国内外市场中占据一席之地。2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析 ...
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碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 - CSEE
2020年10月15日 关键词：碳化硅；功率器件；封装技术 0 引言 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及 其他新型半导体技术发展论坛”于长沙开幕。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织 ...中电科第四十八研究所巩小亮：碳化硅芯片制造装备技术发展 ...
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顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛
2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。2017年1月23日 其中，碳化硅是近年来国内外应用研究较多的陶瓷材料，将碳化硅用作装甲材料是近年来国内外研究的热点。碳化硅由Si-C 四面体堆积而成，具有α和β两种晶型，在温度低于1 600 ℃时，SiC以β-SiC形式存在。当高于1 600 ℃时，β-SiC 缓慢转变成α-SiC 的各种多型碳化硅抗弹陶瓷的研究进展及在装甲防护领域的应用
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2024-2028年中国铝基碳化硅（AISiC）复合材料（铝碳化硅 ...
2023年12月26日 三、用户三对铝基碳化硅（AISiC）复合材料（铝碳化硅）需求规模及走势 第九章 铝基碳化硅（AISiC）复合材料（铝碳化硅）国内外生产工艺及技术进展 第一节 国内外主要生产工艺介绍 第二节 国内外核心生产工艺概述 第三节 国内外生产技术
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