24小时服务热线
19337881562
ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器
2016年11月26日 基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低， 本文采用 ICP-MS 法对高纯碳化硅粉表面的 Na 、 Al、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、Cd 12 种痕量杂质进行测 作者：. 尹长霞. 摘要：. 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术
了解更多
半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...
采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(-1),反应时间10min,液固 2019年9月2日 高纯碳化硅微量元素的测定（GB/T37254-2018）规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-OES）法和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...2020年3月24日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体，实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳化硅粉体， 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
了解更多
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。. 第一种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是 摘要：碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点、高硬度、耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一。. 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。. 但是由于普 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究
了解更多
碳化硅中主要杂质元素的存在形式 - X-MOL
2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。. 实验结果表 2013年12月25日 61《现代仪器》2011年第6期第17卷总97期分析测试摘 要 本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的 ...ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 豆丁网
了解更多
一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程
2023年12月20日 1、本发明要解决的是现有技术中工业化生产超细碳化硅粉末时，连续化生产困难、综合得率不高、产品杂质含量 高、工况维护成本高等问题，提供了一种基于等离子体热合成工艺的超细碳化硅粉末的制备方法。2、本发明的一个技术解决方案是 ...2007年2月14日 技术领域 本发明涉及一种清除生产SiC 细粉工艺中的杂质进行酸洗净方法，尤其涉 及一种超细碳化硅粉末提纯方法. 背景技术 半导体制造用SiC 细粉陶瓷原料的生产是采用球磨法，制造纯度大于96 ％， 平均粒径在0.8 μm 的超细SiC 粉，为了保证SiC 细粉的高纯度必须进行酸 一种超细碳化硅粉末提纯方法[发明专利]_百度文库
了解更多
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术
摘要： 碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高,粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC材料的性能不高.超细SiC微粉是一种化学组成 ...2007年2月14日 本发明涉及一种清除生产SiC细粉工艺中的杂质进行酸洗净方法，尤其涉及.背景技术半导体制造用SiC细粉陶瓷原料的生产是采用球磨法，制造纯度大于96％，平均粒径在0.8μm的超细SiC粉，为了保证SiC细粉的高纯度必须进行酸洗净工艺。采用物理超微粉碎技术，进行碳化硅细粉产业化生产工艺，碳化硅 ...一种超细碳化硅粉末提纯方法
了解更多
碳化硅陶瓷件生产工艺和应用-新闻中心-上海戎创铠迅特种材料 ...
2024年7月4日 碳化硅的不同晶型 碳化硅的合成 在工业生产中，用于合成 SiC 的石英砂和焦炭通常含有 Al 和 Fe 等金属杂质。其中杂质含量少的呈绿色，被称为绿色碳化硅；杂质含量多的呈黑色，被称为黑色碳化硅。一般碳化硅含量愈高、颜色愈浅，高纯碳化硅应为无色。2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
了解更多
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究
碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点、高硬度、耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一。反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC材料的性能不高。2013年3月14日 反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网
了解更多
碳化硅含量的测定方法 - 豆丁网
2011年3月22日 收稿日期:1999-10-10编辑李成金碳化硅含量的测定方法高娟(吉林炭素集团有限责任公司,吉林吉林132002)THE.. ... 一种低氧含量超细非晶碳化硅 纳米颗粒的制备方法 一种半导体悬臂桨产品的碳化硅含量提纯、提升方法 ...2020年3月24日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低；高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化学反应热，使得未发生反应的物质高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
了解更多
每公斤2000~12000 元？这种碳化硅堪称“万金之躯”！-要闻 ...
2021年12月4日 现如今碳化硅微粉的生产大多采用将碳热还原法合成的块状碳化硅，经粗破、磨粉等工序生产而成，在生产过程中由于原料的不完全反应以及加工设备和外界环境的影响，使得加工成的碳化硅微粉存在游离的碳、石墨、及Fe、Al等金属单质及其氧化物等很多杂质。2024年10月13日 W2.5超细碳化硅微粉 的外观呈现的是白色粉末，在有些时候还可以呈现灰色粉末，硅灰在形成的过程中会因相变的过程中受表面张力的作用。 硅微粉是一种比表面积很大的产品，微小的球状体可以起到润滑的作用，它具有良好的绝缘性，因为它的纯度很高，性能也非常稳定，杂质的含量也比较低，电 ...W2.5超细碳化硅微粉-参数-价格-中国粉体网
了解更多
碳化硅（SiC）粉体制备技术综述：从传统到前沿金蒙新材料 ...
2024年7月19日 通过外力作用破碎材料，实现超细粉体制备。尽管设备与工艺简单，成本低廉，产量高，但易引入杂质。 4、液相法 溶胶-凝胶法 借助溶胶-凝胶技术，实现Si源和C源的分子级均匀混合，合成温度低、粒度小、纯度高，适用于实验室高纯超细粉体制备。 5、热分解法2023年11月23日 可以说表面改性是一种获得高固相含量、低黏度陶瓷料浆的有效途径。 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
了解更多
超细碳化硅表面改性技术进展-【维普期刊官网】- 中文期刊 ...
摘要 超细碳化硅(SiC)颗粒优异的物理化学性能和广泛的应用领域成为陶瓷颗粒表面改性研究的一个热点。 介绍了超细SiC颗粒改性的目的和机理,从物理改性、化学改性两个方面对改性方法及研究进展情况进行了总结,并在此基础上指出了超细S...种方法是固相法，其中具有代表性的有 化硅粉体杂质含量高，质量较低；高温 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅 粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 Aymont 等， 合 成 粉 体 纯 度 可 达 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于 99.9995％。国内主要单位包括高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述_百度文库
了解更多
碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺 - 百度文库
导热率：碳化硅制品的导热率非常高，热膨胀参数小，抗热震性非常高，是优质的耐火材料。 电学属性 恒温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。1200 ～ 1400℃下合成了超细高纯 SiC 1700 ～ 2000℃的范围内，合成了粒径 粉末。[4] 在 10 ～ 500μm，杂质含量质量分数低 Aparna Gupta 等 用 六 甲 基 硅 烷 于 0.5×10-6 的 SiC 粉体。[5] 充 当 反 应 源， 氢 气 与 氩 气 为 载 气， 用 烷等，而二甲基二高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述_百度文库
了解更多
高纯度碳化硅清洁生产 - 中国粉体网
2024年3月11日 另外，合成的粉体为纳米级的超细粉体，不易收集，同时合成速率较低，目前无法用于生产大批量的高纯SiC粉体。 溶胶-凝胶法 其制备过程是将无机盐或醇盐溶于溶剂( 水或醇) 中形成均匀溶液，得到均匀的溶胶，经过干燥或脱水转化成凝胶，再经过热处理得到所需要的超细 碳化硅晶舟（SICBOAT）如何做到99.99%的高纯度？_百度文库 烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度 ≥3.10g/cm3,不含金属硅等金属杂质。 碳化硅陶瓷晶舟，碳化硅 获取价格超细碳化硅杂质含量
了解更多
9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标
2019年9月2日 中国粉体网讯 碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。 而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的 2022年10月23日 《YS/T 1497-2021 铂化合物分析方法 杂质阴离子含量测定 离子色谱法》标准下载. ... YS/T 598-2023 超细 二氧化钌粉 YS/T 1593.2-2023 粗碳酸锂化学分析方法 第2部分：镍、钴、锰、铜、铝、铁、钙、镁、钠、钾、铅、镉、铬、砷、磷含量的测定 电感耦合 ...YS/T 1497-2021 铂化合物分析方法 杂质阴离子含量测定 ...
了解更多
碳化硅超细粉的制备新法 - 豆丁网
2015年6月22日 碳化硅超细粉的制备新法,碳化硅制备,新法制备石墨烯,超细粉生产线,超细粉,超细粉末,超细粉末包装机,超细粉体,三七超细 ... 电极 的 截面 和两 电极 之 间 的距 离 ，可 以有 效 地增 加 试 样 的 质量 ，实 现 SiC 超细 粉 的 大 批 量 生 产 。 双 ...纳米碳化硅粉、超细 碳化硅粉通过可变电流激光离子束气相法制备，通过可变电流，高压放电，可以充分克服直流电弧的缺点（反应不充分，产物杂质高，生成物稳定性差等）。具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积；纳米碳化硅具有化学性能稳定 ...纳米碳化硅_报价-上海超威纳米科技有限公司 - cnpowder.cn
了解更多
碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法常见问题解答山东金 ...
2022年9月7日 另外，合成的粉体为纳米级的超细粉体，不易收集，同时合成速率较低，目前无法用于生产大批量的高纯SiC粉体。 2.等离子体法 等离子体法是将反应气体通入由射频电源激发的等离子体容器中，气体在高速电子的碰撞下相互反应，最后得到高纯的SiC粉体。2019年5月7日 本发明利用碳化硅的高温难挥发（熔点2700℃，升华）的特性，在900～1200℃的条件下，含杂碳化硅粉体中杂质元素硼、铝、铁、钛、钒等与hcl气体生成低沸点的氯化物而蒸发出来，从而降低含杂碳化硅粉体中的硼、铝、铁、钛、钒等杂质元素的含量，以此实现深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
了解更多
半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次 离子质谱 ...
2019年11月22日 本标准规定了用二次离子质谱仪测定半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的方法。 本标准适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的分析，其中铝、钒的浓度均大 于1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照本标准。 2 规范性摘要： 晶体硅太阳能电池是光伏行业中最重要的一种电池.在利用硅原料制备电池材料的过程中,需要将硅锭切割成硅薄片.切割过程中近一半的硅会以超细粉末形式进入切割液形成大量切割废料,造成硅资源浪费以及环境污染.切割废料由90%的硅粉和少量的Fe,Al,Ca等杂质组成.目前切割废料利用 晶体硅金刚石线切割废料资源化利用研究进展 - 百度学术
了解更多
碳化硅晶舟（SIC BOAT）如何做到99.99%的高纯度？
2021年1月29日 无压烧结碳化硅陶瓷（常压烧结碳化硅陶瓷）是以高纯、超细碳化硅微粉为原料，加入少量的烧结助剂，如硼、碳等，在大气压的惰性气体或真空气氛中，碳化硅晶舟（SIC BOAT）、陶瓷晶舟，西安中威（ZHWE）24
了解更多